大自旋极化率半金属Fe3O4薄膜制备及其磁性能

摘要：

采用磁控溅射法先在Si(100)基片上沉积适当厚度的Fe薄膜作为底层,通过对Fe底层厚度及氧气流量的控制,使底层Fe形成化学计量的无缓冲层的Fe3O4多晶薄膜.通过X射线衍射和磁强计分析了样品的结构和磁性能.结果表明:当初始氧气流量为1.5 mL/s时,在15 nm的Fe薄膜底层上可成功制备高晶粒织构的化学计量的Fe3O4薄膜.将Fe3O4薄膜应用到巨磁电阻(giant magnetoresistance,GMR)多层膜中,由于多层膜材料间电阻率的失配,利用Fe3O4半金属薄膜并不能获得预见的大GMR效应.

关键词：半金属材料、巨磁电阻、四氧化三铁薄膜

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分类号：O482(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金60721001,60771047,60801027;四川省应用基础研究2008JY0056

在线出版日期：2010-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1895-1898