等离子活化烧结制备SiC/h-BN复相陶瓷

摘要：

采用等离子活化烧结(plasma activated sintering,PAS)制备SiC/20%(体积分数)h-BN复相陶瓷,研究了烧结工艺对复相陶瓷密度、抗弯强度、硬度,以及显微结构的影响,并对比分析了PAS与热压 (hot-pressing,HP)烧结工艺不同烧结机理.结果表明:在1 600℃保温3min PAS烧结与在1 850℃保温1hHP烧结制备出的SiC/20%h-BN复相陶瓷具有相近的性能和微观结构,PAS烧结效率远高于HP.当引入20%微米级h-BN在烧结过程中抑制SiC晶粒长大,PAS快速烧结细化晶粒的效应在烧结SiC/20%h-BN复相陶瓷时被抑制.

关键词：等离子活化烧结、热压烧结、碳化硅、氮化硼、弱界面

所属期刊栏目：37

分类号：TQ174.75+8.22

在线出版日期：2010-01-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1808-1812