期刊专题

10.3321/j.issn:0454-5648.2009.10.027

阳极键合用Li2O-Al2O3-SiO2微晶玻璃电学性能

引用
采用合适的组分和二步热处理法制备了热膨胀系数与硅片匹配的Li2O-Al2O2-SiO2(LAS)微晶玻璃,并在满足键合所要求的热膨胀系数的基础上,通过调节成分和控制热处理制度,研究了微晶玻璃的导电和介电性能.结果表明:采用不同的热处理制度进行晶化处理,LAS微晶玻璃的主晶相均为β-锂辉石;607℃核化、980℃晶化时间均为3 h样品的热膨胀系数为31.16 ×10℃-1(200~400℃),与硅片热膨胀系数较接近;微晶玻璃的电阻率大于基础玻璃,且随温度的升高电阻率吴下降趋势;改变核化和晶化时间,在150~360℃范围内其电阻率变化不大;微晶玻璃的介电常数和介电损耗均小于基础玻璃,更适宜作为电子器件的绝缘封装材料.

阳极键合、硅片、微晶玻璃、电学性能

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TQ171

国家自然科学基金50472039;湖北省自然科学基金2005ABA011

2009-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

1735-1739

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2009,37(10)

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