期刊专题

10.3321/j.issn:0454-5648.2009.10.023

静电纺丝技术制备Al2O3/SiO2同轴超微电缆

引用
采用同轴静电纺丝技术,以硝酸铝、正硅酸乙酯、无水乙醇、聚乙烯吡咯烷酮和N,N-二甲基甲酰胺为原料,成功制备了Al2O3/SiO2同轴超微电缆.用差热-热重分析、X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、Fourier变换红外光谱对样品进行了表征.结果表明:所得到的产物为Al2O3/SiO2同轴超微电缆,以无定型SiO2为壳层,晶态Al2O3为芯轴,电缆直径在150~300nm之间,壳层厚度为50nm,电缆长度450μm.对Al2O3/SiO同轴超微电缆的形成机理进行了分析.

同轴静电纺丝、同轴超微电缆、氧化铝、二氧化硅

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TB333;TB34(工程材料学)

吉林省科技发展计划重大项目20070402,20060504:吉林省教育厅"十一五"科学技术研究项目2007-45,2006JYT05:吉林省环保局科技项目2006-24;长春市科技计划2007045.教育部科学技术研究重点项B207026

2009-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

1712-1717

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2009,37(10)

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