Mo:Sb:PbWO4闪烁晶体的生长与发光性能

摘要：

采用坩埚下降法生长了Mo:Sb:PbWO4(Mo:Sb:PWO)晶体.通过透射光谱、X射线激发的发射谱、光产额和荧光寿命的测试,研究了Mo,Sb双掺杂对PbWO4晶体的光谱和闪烁性能的影响.结果表明:与未掺杂晶体相比,掺杂样品提高了PWO晶体在350～430 nm波段的透过率,消除了350nm吸收,吸收边变得陡峭并且向长波方向偏移.Mo:Sb:PWO晶体的发光谱存在400～650nm的宽带,发光主峰为510hm,发光强度得到提高.尺寸为10mm×10mm×20mm的Mo:Sb:PWO晶体样品,在1000ns的积分时间门宽内光产额最大值可达70photon-electrons/MeV,约为BhGe3O12(BGO)光产额的7.2%.光产额的提高主要来自于Mo:Sb:PbWO4晶体发光中的慢发光成分的增加.

关键词：钼和锑共掺杂钨酸铅晶体、透射光谱、光致发光谱、光产额、闪烁晶体

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分类号：O734(晶体物理)

资助基金：2008上海大学创新基金:中国科学院高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室开放基金SKL200806SIC

在线出版日期：2009-09-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1311-1315,1321