期刊专题

10.3321/j.issn:0454-5648.2009.08.005

A1,Ni掺杂ZnO的电子结构与光学性质

引用
利用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了纯ZnO和分别掺摩尔分数均为6.25%A1,Ni的ZaO的能带结构、电子态密度分布及光学性质.计算结果表明:ZnO掺杂A1,Ni后,其Fermi面均上移并进入导带;Zn0.9375Ni0.0625O的能带结构在导带底附近出现了4条杂质带.纯ZnO,Zn0.9375A10.0625和Zn0.9375Ni0.0625O的光学性质在低能处有较大的差异,其中Zn0.9375A10.0625O在可见光区的吸收系数和反射率较之另外两种材料都相对较低,但三者的光学性质在高能处却非常相似.Zn<<0.9375>A10.0625O的吸收边有蓝移的趋势,而Zn0.9375Ni0.0625O的吸收边红移.掺杂Ni对ZnO的吸收系数等光学性质的改变更为明显.

氧化锌、掺杂、密度泛函理论、电子结构、光学性质

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O641(物理化学(理论化学)、化学物理学)

国家自然科学基金10847116:河北省自然科学基金光电材料基地专项计划08B007

2009-09-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

1293-1298

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2009,37(8)

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