10.3321/j.issn:0454-5648.2009.08.002
碳热还原-常压烧结法制备多孔氮化硅陶瓷
采用SiO2和α-Si3N4在氮气中通过碳热还原-常压反应烧结法,原位反应制备了氮化硅多孔陶瓷.由于反应中存在大量的质量损失,烧结的制品为高气孔的材料.通过改变原料中α-Si3N4与SiO2和C粉的相对含量,可以形成具有细小针状结构的β-Si3N4晶粒,以此获得气孔率可控的高性能的多孔氮化硅材料.随着原料中α-Si3N4含量的增大,烧结后,样品的总质量损失逐渐减小,收缩率逐渐降低,气孔率逐渐减小,弯曲强度逐渐增大.当α-Si3N4的质量分数为50%时,碳热还原-常压反应烧结的样品中的β-Si3N4晶粒具有更高的长径比,样品气孔率为68.7%,具有优良的力学性能,弯曲强度达到37.7MPa.
碳热还原、常压烧结法、多孔氮化硅
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TQ171
国家自然科学基金50772086:教育部高等学校博士学科点专项科研基金20060698008:国家"863"计划2007AA03Z558
2009-09-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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