期刊专题

10.3321/j.issn:0454-5648.2009.03.013

氧化镁-碳化硅复相陶瓷在X波段的衰减性能

引用
以MgO为基体,添加少量SiC,采用热压工艺制备复相微波衰减钮扣材料,通过矢量网络分析仪测试其X波段的微波衰减性能.研究SiC的添加量、烧结温度、保温时间以及介电性能等因素对复相材料衰减性能的影响.结果表明:当SiC质量分数(下同)从1%到10%逐渐增加时,复相材料的损耗谐振衰减频率(f0)随之降低,衰减量也逐渐减小,有效衰减带宽增大;这种现象在SiC含量小于2%时更显著.烧结温度的降低会提高复相材料的f0;保温时间对复相材料衰减性能稳定性的影响较小.从谐振腔及波导的性质入手分析了影响f0而的主要因素,导出了给定钮扣半径下复相材料f0与相对介电常数之间的关系及适用范围,并据此从材料设计的角度对耦合腔行波管"损耗钮扣"的制备进行了探讨.

损耗钮扣、微波衰减、边带震荡、热压、衰减频率、波导

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TM28(电工材料)

国防科工委基金

2009-05-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

397-402

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2009,37(3)

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