期刊专题

10.3321/j.issn:0454-5648.2009.03.002

(K0.485Na0.485Li0.03)NbO3-Pb(Zr0.53Ti0.47)O3压电陶瓷的压电性能与微观结构

引用
采用传统电子陶瓷制备技术和工业原料制备了新型(1-x)(K0.485Na0.485>Li0.03)NbO3-Pb(Zr0.53Ti0.47)O3少铅压电陶瓷,研究了该体系陶瓷的压电性能及微观结构.X射线衍射分析表明:在1250℃烧结3h的条件下,所有陶瓷样品都具有纯的钙钛矿结构和高致密性,并且在室温下形成了正交相和四方相共存的结构.x=0.75时,陶瓷的压电性能达到最佳:压电常数d33=363 pC/N,机电耦合系数kp=63%,相对介电常数εr=1 590,介质损耗tanδ=1.70%.

少铅压电陶瓷、压电性能、微观结构、铌酸钾钠、锆钛酸铅

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TM282(电工材料)

安徽省教育厅青年教师科研资助计划2007JQ1148;合肥学院科研发展基金07KY001ZR

2009-05-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

345-348

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2009,37(3)

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