期刊专题

10.3321/j.issn:0454-5648.2008.06.011

纳米碳化硅、氮化硅和掺杂氮碳化硅粉体的制备及其微波介电特性

引用
为了制备耐高温吸波材料,用激光诱导气相反应法,以六甲基二硅胺烷[(Me3Si)2NH](Me:CH3)、乙炔、硅烷和氨气为原料,用双反应室激光气相合成纳米粉体装置分别制备了纳米SiC,Si3N4和SiC(N)粉体,纳米粉体的粒径为20~30nm.研究了纳米SiC,Si3N4和SiC(N)粉体在8.2~12.4GHz的微波介电特性,纳米SiC(N)粉体介电常数的实部(ε')和虚部(ε")在8.2~12.4GHz随频率增大而减小,介电损耗(tgδ=ε"/ε')较高,是较为理想的微波吸收材料,而纳米SiC和Si3N4粉体的tgδ基本为0.纳米SiC(N)粉体中S,C,N原子周围的化学环境比纯SiC和Si3N4相的混合体要复杂得多,这是导致其性能变化的主要原因.纳米SiC(N)粉体中的SiC微晶固溶了大量的N原子,在纳米SiC(N)粉体中形成大量的带电缺陷,在电磁场作用下形成极化耗散电流,极化弛豫是吸收电磁波的主要原因.

纳米碳化硅和氮化硅、纳米掺杂氮碳化硅、激光诱导气相反应、微波介电特性

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TQ174.75+.8.12

国家自然科学基金50672004

2008-07-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

783-787

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2008,36(6)

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