10.3321/j.issn:0454-5648.2008.05.027
CaF2掺杂钨酸铅晶体的生长与闪烁性能
采用坩埚下降法生长了CaF2掺杂钨酸铅(PbWO4,PWO)晶体,研究了掺杂对PWO晶体的透射光谱、X射线激发发射谱和光产额等发光性能的影响.结果表明:与未掺杂PWO晶体相比,CaF2掺杂的PWO晶体在320~360nm的透过率提高了35%;X射线激发发射强度和光产额比未掺杂PWO晶体高出1倍左右.CaF2掺杂引入了新的发光中心(WO3-F),被认为是导致PWO晶体发光增强的原因.
钨酸铅晶体、氟化物掺杂、闪烁晶体、光产额
36
O782(晶体生长)
温州市科技计划H20060017
2008-06-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
704-707