电子束辐照致VO2(A)薄膜光电特性改变

摘要：

以能量为1.0MeV,剂量为1.2×1013～1.2×105/cm2电子束辐照VO2(A)薄膜.利用X射线衍射仪、扫描电镜、电阻温度测试仪和Fourier中红外光谱仪对电子辐照前后的薄膜进行测试,研究了辐照剂量对薄膜结构、光电特性的影响.结果表明:剂量为1.2×1013/cm2时,辐照主要是在薄膜中引入点缺陷:剂量为1.2×1015/cm2时.辐照在薄膜中产生明显的退火效应.辐照剂量增加会引起薄膜相变过程中电阻温度系数增加,使相变温度点发生变化,热滞回线宽度最大可增加89.1%,相变前后薄膜电阻值变化的数量级增大,晶粒尺寸经历了31.8nm→21.3nm→20.3nm→33.5nm的变化.半导体相薄膜的透过率受缺陷影响较大,金属相时主要受晶粒尺寸的影响.

关键词：二氧化钒薄膜、电子辐照、相变、电阻温度系数、光透过率

所属期刊栏目：36

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金10475058

在线出版日期：2008-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：694-699