10.3321/j.issn:0454-5648.2008.05.023
Bi2Te3基P型赝三元热电材料的热压制备及性能
采用熔炼-粉碎法制备了P型Bi2Te3基赝三元热电合金粉体,粉体经筛分后,用热压法制备了(Sb2Te3)0.75(1-x)(Bi2Te3)0.25(1-x)(Sb2Se3)x样品.通过X射线衍射和扫描电镜对样品进行表征.结果表明:在热压烧结样品中,出现了晶粒的(0001)面垂直于压力方向的明显取向,垂直于压力方向是热压样品的高热电优值方向.在一定的热压压力下,样品的电导率和温差电动势率都随温度的增加而增大.在一定的热压温度下,随着压力的增加,样品的电导率增加,而温差电动势率变化不大.最好样品的热电优值达到2.78×10-3/K.
赝三元热电材料、粉末、热压
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TN304(半导体技术)
教育部科学技术研究重点项目00163;黑龙江省哈尔滨市重点科技攻关项目01112110024
2008-06-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
683-688