10.3321/j.issn:0454-5648.2008.05.022
导模法和温度梯度法生长r面蓝宝石
r面(0112)蓝宝石晶体可用作制备非极性GaN薄膜的衬底.采用温度梯度法(temperature gradient technique,TGT)和导模法(edge-defined film-fedcrystal growth,EFG)生长了质量良好的r面蓝宝石晶体.利用双晶衍射、光学显微镜、光谱仪观察和分析了晶体的结构和缺陷.结果表明:TGT法生长的r蓝宝石晶体的双晶摇摆曲线对称性好,半高宽值仅为18rad·s.位错密度为4×103cm-2,透过率达83%,晶体质量好.与TGT法相比,EFG法生长的r面蓝宝石晶体的结构完整性较差.位错密度为5×105cm-2,透过率仅为75%.但是EFG法具有晶体生长速度快,后期加工成本低的优点.
温度梯度法、导模法、蓝宝石、位错密度
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TQ164
国家高技术研究发展计划863计划2006AA03A104;国家自然科学基金60607015
2008-06-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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