镁铟共掺杂铌酸锂晶体的生长及光学性能

摘要：

在同成分铌酸锂(LiNbO3,LN)体中掺入3%(摩尔分数,下同)MgO,并分别掺入0.5%,1%,1.5%In2O3,用提拉法生长了一系列Mg:In:LN晶体.通过紫外坷见吸收光谱测试确定了晶体样品的组成和缺陷结构.通过透射光斑畸变法检测Mg:In:LN晶体抗光损伤能力.结果表明:Mg:In:LN晶体抗光损伤能力比纯LN晶体提高2个数量级.以波长为1 064nm的Nd:YAG激光为基频光源,对Mg:In:LN晶体的倍频性能进行了测试.结果表明:Mg:In:LN晶体的相位匹配温度在室温附近,Mg:In:LN晶体的倍频效率要高于In:LN晶体和Mg:LN晶体.

关键词：掺镁铟铌酸锂晶体、晶体缺陷、抗光损伤能力、倍频性能、提拉法

所属期刊栏目：36

分类号：O785(晶体生长)

在线出版日期：2008-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：622-625