钨酸镉单晶的坩埚下降法生长

摘要：

以高纯CdO,WO3为初始原料,应用高温固相反应合成CdWO4多晶料.采用垂直坩埚下降法生长CdWO4单晶,生长单晶时炉体温度为1 350～1400℃,固液界面温度梯度为30～40℃/cm,坩埚下降速率为0.5～1.5mm/h.生长的透明的CdWO4单晶尺寸达φ40mm×70mm.用X射线衍射、透射光谱和X射线激发发射光谱等进行了单晶性能的表征.结果表明:CdWO4单晶具有良好的晶格完整性:单晶的吸收边位于325nm左右,在380～900nm区域的光透过率达70%左右.CdWO4单晶X射线激发发射光的峰值波长位于470nm.

关键词：闪烁晶体、钨酸镉、晶体生长、坩埚下降法

所属期刊栏目：36

分类号：O782(晶体生长)

资助基金：浙江省科技攻关项目2005C31029;浙江省宁波市自然科学基金2007A610025;浙江省宁波市博士科研项目2005A610022

在线出版日期：2008-06-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：617-621