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10.3321/j.issn:0454-5648.2008.05.001

可切削微晶玻璃电真空的沿面闪络特性

引用
在1350℃保温2h熔融后浇注,经500℃退火制备了55%质量分数,下同)SiO2-6%B2O3-8.5%(K2O-Li2O)-11.5%Al2O3-4.5%ZNO-9.5%MgO-5%F的基础玻璃,650~750℃保温2h晶化处理后制成微晶玻璃.采用X射线衍射分析微晶玻璃的物相组成,用扫描电镜观察材料的微观结构,考察晶化工艺对材料高电压真空沿面闪络特性的影响,并与A1203陶瓷沿面闪络性能进行对比.结果表明:该材料比Al2O3陶瓷具有更好的沿面闪络特性;在晶化保温时间相同时,随温度升高,微晶玻璃材料的沿面闪络电压降低;在650℃保温2h的晶化处理后,该微晶玻璃具有较优的沿面闪络特性.

氧化铝陶瓷、可切削微晶玻璃、沿面闪络

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TQ171

国家自然科学基金50777051

2008-06-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2008,36(5)

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