蓝宝石衬底表面SiO2薄膜的应力分析

摘要：

采用射频磁控反应溅射法分别在Si和蓝宝石衬底上沉积SiO2薄膜.通过改变沉积薄膜的工艺参数,考察反应气体流量比、沉积温度、射频功率等因素对SiO2薄膜内应力的影响.采用压痕裂纹法分析了镀膜前后蓝宝石的表面应力.结果表明:制备SiO2薄膜时,工艺参数影响SiO2薄膜的成分,当O2/Ar流量比值为1.25,衬底温度为300℃,射频功率为100 W时,可以制备出化学计量比的SiO2薄膜,此时薄膜中的内应力较小;制备的SiO2薄膜呈压应力状态,镀SiO2薄膜可以改变蓝宝石的表面应力,蓝宝石的表面应力已由原来的拉应力变为压应力.

关键词：蓝宝石、二氧化硅薄膜、内应力、磁控反应溅射

所属期刊栏目：36

分类号：TN213(光电子技术、激光技术)

资助基金：航空基础科学基金04G53043

在线出版日期：2008-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：206-209