α-Si3N4单晶纳米线的Fourier变换红外光谱和Raman光谱分析

摘要：

将单晶硅片在流动的氨气和氮气混合气体中加热到1 250 ℃,不用催化剂,实现了大量高纯度单晶Si3N4纳米线的生长.用X射线衍射方法分析了所制备Si3N4纳米线的相结构,用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察了其微观形貌.Si3N4纳米线生长机理为气-固机制.Fourier变换红外光谱与Raman光谱分析表明:产物的吸收与振动模式呈现了典型的α-Si3N4的特征;与α-Si3N4块体材料相比,部分峰位发生了蓝移,也有几个峰位发生了少许的红移,这是α-Si3N4纳米材料小尺寸效应与表面效应的综合体现.

关键词：氮化硅、纳米线、生长机理、Fourier变换红外光谱、Raman光谱

所属期刊栏目：36

分类号：O657.33;O657.37(分析化学)

资助基金：国家自然科学基金90406008;20571022;合肥工业大学创新群体103-037016

在线出版日期：2008-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：44-48,53