磁控溅射法制备ZrW2O8/Cu梯度薄膜

摘要：

在单晶硅基片上用磁控溅射法制备ZrW2O8/Cu梯度薄膜.用X射线衍射分析薄膜的物相组成,用原子力显微镜和扫描电镜对薄膜的表面形貌进行观察和分析,利用X射线光电子能谱技术对薄膜中各元素沿深度的分布情况进行检测.结果表明:溅射所得薄膜为非晶态钨酸锆与氧化铜的复合薄膜,快速热处理和氢气还原后得到立方相钨酸锆与铜的复合薄膜,在760 ℃下热处理钨酸锆的结晶度最好,而在740 ℃热处理的薄膜质量最佳,薄膜中各成分沿厚度方向呈梯度分布.

关键词：钨酸锆、铜、梯度薄膜、磁控溅射

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分类号：O484.5;TB43(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金50372027;50772044;江苏省高校自然科学基金06KJA43010;06KJB430012;江苏省重点实验室基金

在线出版日期：2007-12-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1514-1519