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10.3321/j.issn:0454-5648.2007.10.011

孔隙率和孔径对反应烧结多孔氮化硅陶瓷介电性能的影响

引用
研究添加成孔剂法制备的有球形宏观孔的多孔氮化硅陶瓷在不同孔隙率和孔径下的介电性能.通过控制成孔剂苯甲酸的加入量和调节成孔剂的粒径可达到烧结体的气孔率和孔径可控的目的.结果表明:随着成孔剂量的增加,样品气孔率变大,反应烧结后烧结体中的α-Si3N4相增多,样品的介电常数ε'和介电损耗tanδ降低.在成孔剂加入的质量分数为30%时,随着成孔剂的粒径变大,反应烧结后烧结体中气孔的直径变大而气孔率不变,样品的ε'和tan δ也相应降低.得到的样品中最低的ε'值为2.4297.

多孔氮化硅陶瓷、孔隙率、孔径、介电性能

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TQ174.1

国家自然科学基金90305016

2007-12-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

1327-1331

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2007,35(10)

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