采用改进的温梯法生长氟化钙晶体

摘要：

对现有的晶体生长温梯法进行改进,将炉内温场分为坩埚底部温度高于坩埚顶部温度的化料区和坩埚底部温度低于坩埚顶部温度的温梯生长区两部分.通过对坩埚相对于温场位置的控制,获得适宜进行熔体均一化和晶体生长条件.生长了尺寸为φ135 mm×150 mm氟化钙(CaF2)晶体,生长的CaF2晶体质量较好,位错密度＜330/mm2,从190 nm到9000 nm透过良好,紫外200 nm处和红外9 μm处透过率可达80%以上.

关键词：改进的温梯法、温场、氟化钙晶体

所属期刊栏目：35

分类号：O781(晶体生长)

在线出版日期：2007-09-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1077-1080