10.3321/j.issn:0454-5648.2007.05.020
低温合成Ti3SiC2陶瓷
采用机械合金化和放电等离子烧结技术制备了纯度较高的Ti3SiC2陶瓷,研究了微量Al对Ti3SiC2的机械合金化和放电等离子烧结过程的影响.结果表明:添加适量的Al可以显著提高机械合金化及放电等离子烧结产物中Ti3SiC2的含量,并显著降低高纯度Ti3SiC2的烧结温度.机械合金化10h,成分为3Ti/Si/2C/0.2Al(摩尔比)的混合粉体,经850℃放电等离子烧结可获得质量分数(下同)高达96%的Ti3SiC2块体,烧结温度提高到1 100℃,可获得纯度为99.3%、相对密度高达98.9%的Ti3SiC2致密块体.
钛硅碳陶瓷、机械合金化、放电等离子烧结
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TG135.5(金属学与热处理)
2007-07-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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