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10.3321/j.issn:0454-5648.2007.05.002

低压化学气相沉积制备掺硼碳薄膜及其表征

引用
以BCl3和C3H6分别作为低压化学气相沉积制备掺硼碳材料的硼源和碳源,采用热壁化学气相沉积炉,于1 100℃在碳纤维基底上制备了掺硼碳薄膜.采用扫描电镜、X射线衍射和X射线光电子能谱对样品作了表征.结果表明:产物表面光滑,断面呈细密的片层状结构,产物由B4C和石墨化程度较高的热解碳组成.采用掺硼碳薄膜中含有15%(摩尔分数,下同)硼.硼原子化学键结合状态共有5种,分别是:B4C的中的B-C键,硼原子替代固溶在类石墨结构中形成的B-C键,BC2O和BCO2结构中B-C键和B-O键的混合态,以及B2O3中的B-O键.其中超过40%的硼原子以替代固溶的形式存在于热解碳的类石墨结构中.

低压化学气相沉积、掺硼碳薄膜、片层结构、X射线光电子能谱、X射线衍射

35

TB332;TQ174.758.2(工程材料学)

国家自然科学基金90405015;国家自然科学基金50425028;教育部长江学者和创新团队发展计划

2007-07-02(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

541-545

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2007,35(5)

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