半透明氮化硅陶瓷的放电等离子烧结制备及性能

摘要：

用放电等离子烧结(spark plasma sintering,SPS)技术,以质量分数(下同)为9%氮化铝(A1N),3%氧化镁(MgO)为烧结助剂,在1850℃烧结5min,成功制备了半透明氮化硅(Si3N4)陶瓷.半透明Si3N4陶瓷在中红外波段表现出良好的透过率,最大透过率为66.4%.SPS的快速致密化过程保证了烧结体具有良好的晶体结构,有利于提高透过率.SPS快速的烧结过程和A1N和MgO的加入能够有效抑制烧结过程中Si3N4陶瓷由α相向β相的转变,是制备光学性能良好的Si3N4陶瓷的关键.报道了半透明Si3N4陶瓷的其他性能.光学性能与其他性能的结合,势必大大拓宽Si3N4陶瓷的应用领域.

关键词：透明氮化硅陶瓷、透过率、放电等离子烧结、相变

所属期刊栏目：35

分类号：TQ174

资助基金：教育部项目PCSIRT;湖北省创新群体基金2006ABC006

在线出版日期：2007-04-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：289-292