工艺因素对α-Al2O3微粒表面SnO2涂层zeta电位的影响

摘要：

以四氯化锡、三氯化铟和氨水为原料,采用原位生成法在α-Al2O3微粒表面制备了In掺杂的纳米SnO2涂层,研究了In掺杂量和焙烧温度对SnO2涂层zeta电位的影响规律和影响机理.利用X射线衍射仪、透射电镜对样品的物相组成和显微结构进行分析.结果表明:当In掺杂摩尔分数为2%、焙烧温度为1 000℃时,涂层具有最低的zeta电位.此外,用此涂层修饰后的α-Al2O3微滤膜的水过滤通量有显著地提高.

关键词：氧化锡涂层、铟掺杂、zeta电位、氧化铝、焙烧温度

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分类号：TB321(工程材料学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2004CCA07500;中-法合作项目PRA04-06

在线出版日期：2007-04-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：202-205