立方氮化硅的合成与提纯

摘要：

设计和采用有炸药驱动平面飞片加载器和圆桶形样品回收室的装置,用非高纯的α-Si3N4粉体和铜粉作原料合成了c-Si3N4.在该装置中完整的回收到冲击波压缩的实验样品.当冲击压力与温度分别约为50GPa和2 300K时,原料中约有85%的α-Si3N4转化为c-Si3N4.回收样品在440K左右经9～10 h与氢氟酸反应处理后,c-Si3N4粉体的纯度接近100%.

关键词：立方氮化硅、冲击波压缩、合成、提纯

所属期刊栏目：35

分类号：O771(晶体缺陷)

资助基金：国家自然科学基金50472102;西南科技大学校科研和教改项目ZK043030;西南科技大学校科研和教改项目ZK053003;中国工程物理研究院基金20050864

在线出版日期：2007-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：31-34