S2-掺杂对Ce3+-SiO2材料发光性能的影响

摘要：

通过化学掺杂及气氛控制掺杂的手段对Ce3+-SiO2材料进行S2-掺杂改性,并对其光吸收和光致发光性能进行分析.研究阴离子掺杂对基体氧化硅材料缺陷态发光以及Ce3+的发光波长及强度的影响.结果表明:采用化学掺杂S2-可明显改变400～600 ℃热处理条件下344 nm和355 nm紫外发光强度与热处理温度的关系,但对Ce3+-SiO2材料在700～900 ℃热处理条件下产生的445 nm左右的蓝色发光影响不大;采用气氛控制手段实现S2-掺杂则可明显改变蓝色发光带的发光波长和发光强度,使发光波长由445 nm移向428 nm且发光强度为Ce3+-SiO2样品的十倍左右.

关键词：硫离子、铈离子掺杂二氧化硅、化学掺杂、气氛控制掺杂

所属期刊栏目：35

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：合肥工业大学校科研和教改项目103-037016

在线出版日期：2007-03-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：10-15