电弧放电制备碳化硅纳米棒

摘要：

用电弧放电法制备了碳化硅(SiC)纳米棒.将摩尔分数为50%C,25% SiO2和25% Si粉末充分混合,填入已在中心钻孔的石墨棒中,作电弧放电阳极,水冷铜块作阴极,腔内充66.5kPa氩气,放电电流为80A.分析放电后沉积在腔内壁的粉末,高分辨率透射电镜照片表明:粉末中有结晶良好的SiC纳米棒,直径约10～20 nm,长径比为10以上,并且纳米棒头部缀有金属纳米粒子.X射线衍射分析表明:粉体中主相为β-SiC,有少量Cu,Raman光谱中775 cm-1有1个尖锐峰.分析认为,少量阴极材料Cu被电弧蒸发作为催化剂并由气液固过程生成了SiC纳米棒.

关键词：碳化硅、纳米棒、电弧放电、气液固过程

所属期刊栏目：34

分类号：TB71;TB383(真空技术)

在线出版日期：2006-12-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1283-1286