凝胶中络合物浓度分布对CuI晶体生长的影响

摘要：

采用改进的浓度控制的络合解络法在硅凝胶中生长出形状规则的CuI单晶.通过分光光度法测量铜离子浓度,分析了硅凝胶中络合物浓度和浓度梯度对晶体生长的影响.实验发现:要获得形貌规则且尺寸较大的CuI单晶,在晶体生长区必须维持一个低而稳定的络合物浓度和浓度梯度.就浓度递减法而言,生长区的浓度和浓度梯度一般可分别控制在0.01～0.03 mol/L范围和0.012 mol/(L·cm)左右,这样生长区的过饱和度可以维持在一个使晶体缓慢生长的水平.为更好地调控凝胶中络合物的浓度分布,通过浓度递增法研究了络合物的扩散规律,得到其平均扩散系数为1.521×105cm2/s,这一结果可为实验方案的进一步优化提供依据.

关键词：碘化亚铜、晶体生长、络合解络法、浓度控制、扩散规律

所属期刊栏目：34

分类号：O78(晶体生长)

资助基金：国家自然科学基金10476018;10475068;高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划教人司2002123;西北核技术研究所专项科研基金0412003

在线出版日期：2006-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1070-1074