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10.3321/j.issn:0454-5648.2006.04.017

低温烧结PZT-O.5%PbO·WO3压电陶瓷

引用
以固态氧化物为原料,采用一次合成工艺制备锆钛酸铅(lead zirconate titanate,PZT)-0.5%PbO·WO3压电陶瓷,研究摩尔比n(Zr)/n(Ti)、烧结温度对陶瓷性能的影响.结果发现:合成温度900℃保温2 h可以得到钙钛矿结构压电陶瓷.n(Zr)/n(Ti)=1.08时,烧结温度为1 100℃保温2 h,压电陶瓷的综合性能在准同型相界处达最佳:介电常数εT33/ε0=1 593,介电损耗tgδ=0.019,压电系数d33=363.5×10-6C/N,机电耦合系数Kp=0.596,机械品质因数Qm=8 8.4.

压电陶瓷、低温烧结、三氧化钨、电性能

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TB383(工程材料学)

2006-05-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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476-478

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2006,34(4)

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