10.3321/j.issn:0454-5648.2006.03.011
磁控溅射法制备钨酸锆薄膜
在不同的气氛下,利用射频磁控溅射法在石英基片和硅片上制备了ZrW2O8薄膜.利用台阶仪和划痕仪测量了溅射薄膜的厚度和结合力,利用X射线衍射及原子力显微镜对薄膜的物相和表面形貌进行了分析和观察.初步研究了沉积条件对生长薄膜的厚度、附着力、相成分和表面形貌等的影响.结果表明:纯氩气下溅射的ZrW2O8薄膜最厚,膜基结合力随膜厚的增加而减小,溅射所得薄膜为非晶态,热处理后薄膜中出现了钨酸锆相,薄膜的表面形貌随气压的降低变得光滑.
钨酸锆、薄膜、射频磁控溅射
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O484.5;TB43(固体物理学)
中国科学院资助项目50372027,50442023;江苏省研究生培养创新工程项目
2006-04-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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