Cu2+离子掺杂纳米SiO2材料中346 nm光致发光带

摘要：

采用溶胶-凝胶技术制备了Cu2+掺杂纳米SiO2材料,测量了材料的光致发光性能.X射线衍射及透射电子显微镜测试结果表明:Cu2+掺杂纳米SiO2材料具有微晶结构,颗粒尺寸为20～30 nm.对其光致发光谱的测定显示:微量Cu2+掺杂的样品在220 nm激发时存在着唯一的很强主峰,位于346 nm左右的紫外发光峰.通过对比不同掺杂浓度、不同煅烧温度及氢化处理对该紫外峰的影响,对346 nm紫外发光峰可能的起源进行了初步探讨.

关键词：铜掺杂二氧化硅、溶胶-凝胶技术、纳米二氧化硅、发光性能

所属期刊栏目：33

分类号：TN304.12;TN7855;TN0482(半导体技术)

资助基金：合肥工业大学校科研和教改项目

在线出版日期：2006-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：1517-1521