10.3321/j.issn:0454-5648.2005.10.012
掺镧钛酸钡陶瓷晶界的再氧化
掺La的BaTiO3陶瓷在H2和Ar(体积比1:99)的还原气氛下烧结后,在氧分压p(O2)=260 Pa的气氛(Ar和O2的混合气体)下进行氧化,测量了吸氧量不同时的复阻抗图谱,研究了再氧化过程中晶粒和晶界的吸附氧对电阻率的影响.结果表明:在还原气氛下烧结可以扩展有效施主掺杂浓度的范围,通过晶粒的异常生长,制备出高施主掺杂量(10%,摩尔分数)的半导性BaTiO3陶瓷.再氧化过程中,随氧化温度的升高(1 017~1 380℃),晶界吸附氧的量增大,晶界处的晶界势垒包括两部分:外部晶界吸收氧原子充当表面受主态;内部晶界在氧化过程中被氧化形成正离子空位(Ti空位)充当受主态,从而提高了受主态密度,导致样品的正温度系数电阻效应增强.
掺镧钛酸钡陶瓷、晶界再氧化、正温度系数电阻效应
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TQ174
2005-11-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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