碳化硅涂层的离子注入改性

摘要：

在SiC涂层表面注入Al3+,B3+,Si4+,观察3种离子注入对涂层表面裂纹的封填情况,分析离子注入后涂层表面的相组成,考核离子注入对SiC-C/SiC材料抗氧化性能的影响.在1 300℃模拟空气中氧化15 h后,注入Al3+的复合材料的氧化质量损失比未经涂层改性的降低了0.3%,形成的玻璃氧化层中气泡和孔洞少,对涂层裂纹的封填效果较好但覆盖不均匀.注入B3+的复合材料的氧化质量损失比未经涂层改性的降低了0.1%,形成的玻璃氧化层的流动性好且覆盖均匀,但其表面多气泡和孔洞,破坏了玻璃氧化层对涂层裂纹的封填作用.注入Si4+的复合材料的氧化质量损失同注入B3+的试样基本相当,但是其氧化质量损失有增大趋势,表明Si4+的注入对改善材料的抗氧化性能无积极作用.

关键词：碳/碳化硅复合材料、碳化硅涂层、离子注入、氧化

所属期刊栏目：33

分类号：TB332(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金90405015;国家自然科学基金50425208

在线出版日期：2005-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1202-1207