10.3321/j.issn:0454-5648.2005.09.015
反应熔渗法制备C/C-SiC复合材料及其反应机理和动力学的研究进展
对反应熔渗法制备C/C-SiC复合材料过程中Si的渗入行为以及Si/C的反应机理和动力学进行了综合评述.分析了高温下Si的密度、粘度、表面张力及Si/C润湿角对渗入能力的影响.概括了Washburn公式及其改进模型在液Si渗入行为方面的研究进展,给出了渗入时间、SiC生成速率与渗入高度之间的关系.对控制Si/C反应的溶解-沉淀机理和扩散机理进行了阐述,总结分析得出:不同阶段Si/C反应发生的区域不同,因而控制反应的机理也不同.最终的SiC相是由不同反应机理共同作用形成的.
碳/碳-碳化硅复合材料、反应熔渗、毛细管渗入模型、反应机理
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TQ174
国家自然科学基金50272051
2005-11-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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1120-1126