化学气相沉积碳化硅涂层缺陷形成的机制及控制

摘要：

利用扫描电镜对化学气相沉积碳化硅防氧化涂层的表面和断口进行观察,探讨了涂层裂纹、涂层网状缺陷和涂层面缺陷的形成机理.从涂层沉积工艺角度出发,对涂层缺陷控制进行探索,慢速沉积对上述涂层缺陷,特别是面缺陷的控制有显著效果,能获得无面缺陷的多层涂层.氧化实验结果表明:具有慢沉积多层涂层的三维C/SiC在1 300℃空气中表现为缓慢的氧化质量增加.

关键词：碳化硅涂层、形成机理、缺陷控制

所属期刊栏目：33

分类号：TB332(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金50272053;高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划教育部教人司[2002]383号;教育部跨世纪优秀人才培养计划教育部科教司[2002]8号

在线出版日期：2005-05-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：443-446