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10.3321/j.issn:0454-5648.2005.03.020

纯氧高气压溅射PZT铁电薄膜

引用
用Pb(Zr0.55Ti0.45)O3烧结陶瓷作为靶材,在纯氧、高气压溅射条件下成功地原位沉积了锆钛酸铅(lead zirconate titanate,PZT)铁电薄膜.为了弥补靶材在烧结过程中Pb的挥发及溅射成膜过程中发生Pb的损失,以PbO计,加入了质量分数为5.0%的过量Pb3O4.实验发现:当最佳靶-基片距离-定时,n(Pb)/n(Zr+Ti)成份偏析的比例随最佳靶-基片距离偏差的增加而降低.PZT铁电薄膜的X射线衍射分析表明,PZT铁电薄膜中存在PbO和钛锆固溶型氧化物,但无焦绿石相.PZT铁电薄膜的铁电性测量表明:剩余极化Pr达到14.1μc/cm2,矫顽电场Ec较小,Ec与Pb(Zr0.55Ti0.45)O3烧结陶瓷靶材的值相当,其电滞回线具有很好的对称性.

锆钛酸铅、铁电薄膜、溅射、电滞回线、电流-电压特性

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O484;TN304.055(固体物理学)

国家自然科学基金90201028;国家高技术研究发展计划863计划2002AA325080 ,2003AA404150

2005-04-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

358-361

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2005,33(3)

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