10.3321/j.issn:0454-5648.2005.03.019
Mg:Er:LiNbO3晶体的生长和抗光损伤性能
在1%(摩尔分数,下同)Er:LiNbO3中分别掺入2%,4%,6%的MgO,用提拉法生长Mg:Er:LiNbO3晶体.用X射线荧光光谱仪测试Mg:Er:LiNbO3晶体中Mg和Er的分凝系数.采用m线法研究Mg:Er:LiNbO3晶体波导基片光损伤阈值.结果表明:随着Mg2+浓度的增加,Er3+在LiNbO3中的分凝系数下降.6%Mg:l%Er:LiNbO3晶体波导基片光损伤阈值比l%Er:LiNbO3基片提高2个数量级以上.采用锂空位模型讨论Mg:Er:LiNbO3晶体光损伤阈值提高的机理.
双掺镁铒铌酸锂晶体、光损伤、分凝系数、晶体生长、提拉法
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O734(晶体物理)
国家重点基础研究发展计划973计划G19990330;国家高技术研究发展计划863计划2001AA31304
2005-04-28(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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