期刊专题

10.3321/j.issn:0454-5648.2005.02.004

蓝宝石上射频溅射沉积CeO2外延缓冲层

引用
研究了基片温度、溅射功率对采用射频溅射沉积在(1102)蓝宝石基片上的CeO2薄膜生长的影响.过低的沉积温度、溅射功率都会导致CeO2薄膜呈[111]取向生长.在基片温度为700~750 ℃,溅射功率为100~150 W,溅射气压为14 Pa下沉积了高质量[00l]取向的CeO2缓冲层.通过X射线衍射和原子力显微镜表征CeO2薄膜的结构和表面形貌.在最优化条件下制备的CeO2薄膜具有优良的面内面外取向性和平整的表面.在CeO2缓冲层上制得的YBa2Cu3O7-δ(YBCO)超导薄膜为完全[00l]取向,面内取向性良好,并具有优越的电学性能,其临界转变温度(Tc)为89.5 K,临界电流密度Jc(77 K,0T)约为1.8×106 A/cm2,微波表面电阻Rs(77 K,10 GHz)大约为 0.30 mΩ.

钇钡铜氧超导薄膜、氧化铈缓冲层、蓝宝石、外延生长

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O484.1(固体物理学)

2005-03-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共7页

149-154,159

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2005,33(2)

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