逆反应烧结制备碳化硅/氮化硅复合材料的工艺

摘要：

制备Si3N4/SiC复合材料的常规反应烧结是以Si和SiC为原料进行氮化烧结,而逆反应烧结是以Si3N4和SiC为原料,首先使Si3N4反向反应为活性氧化物后再进行烧结.建立逆反应烧结工艺制备Si3N4/SiC复合材料的热力学基础.确定了Si3N4先于SiC氧化;氧化产物可以是SiO2,也可以是Si2N2O;形成的SiO2氧化膜不会与基体材料反应;在膜与基体之间可能生成Si2N2O.论证了逆反应烧结的热力学可行性.通过6个烧结实验,证实了其热力学分析的正确性,并从工艺参数与密度变化、残氮率和比强度等关系筛选出最佳的烧结工艺参数.

关键词：氮化硅/碳化硅复合材料、逆反应烧结、热力学、工艺基础

所属期刊栏目：33

分类号：TB321/TQ175(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金50332010;国家自然科学基金50172007

在线出版日期：2005-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1-6