逆反应烧结制备铝电解槽用氮化硅-碳化硅复合材料

摘要：

采用常规的反应烧结工艺制作铝电解槽侧壁材料用Si3N4/SiC时存在不足,为此,提出应用逆反应烧结工艺进行生产性试验的设想.在制备Si3N4/SiC复合材料时,常规反应烧结是以Si和SiC为原料经氮化烧结;逆反应烧结是以Si3N4和SiC为原料,首先使Si3N4反向反应生成活性氧化物后进行烧结.结果表明:该工艺特点是新生的Si2N2O或SiO2进行活性烧结;制品具有良好的物理和化学性能.制品结构紧密,新生氧化物或亚氧化物紧密地充填在Si3N4和SiC颗粒间界,新工艺制备的砖的抗冰晶石熔体侵蚀的性能优于常规工艺烧成砖,是铝电解槽侧壁的良好材料.

关键词：氮化硅/碳化硅复合材料、铝电解槽、逆反应烧结

所属期刊栏目：32

分类号：TB321/TQ175(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金50332010;国家自然科学基金50172007

在线出版日期：2005-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1524-1529