光学级硅酸镓镧晶体的生长初探(Ⅰ)--晶体原料、起始配比与提出量的讨论

摘要：

根据制作La3Ga5SiO14(LGS)晶体电光Q开关的需要,生长了可用于制作电光Q开关的LGS晶体.根据大量晶体生长实验的结果,讨论了晶体原料纯度、来源、晶体原料起始组分配比及晶体提出量与晶体质量的关系,认为Ga2O3的纯度和来源对晶体质量的影响最大.实际生长光学应用的LGS晶体过程中,La2O3纯度为5N(或6N),而SiO2为6N.起始组分配比应选共熔点处的配比,即x(La2O3)=30.00%,x(Ga2O3)=50.65%,x(SiO2)=19.35%.考虑到生长过程中Ga2O3的挥发,Ga2O3应适当过量,n(Ga)/n(Si)范围为5.20～5.30.晶体提出量与起始组分有关,晶体提出量以50%～60%为宜.

关键词：硅酸镓镧、晶体生长、提拉法、晶体原料、起始组分配比、提出量

所属期刊栏目：32

分类号：TN248.1(光电子技术、激光技术)

资助基金：高等学校博士学科点专项科研项目20020422007

在线出版日期：2004-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1371-1376