基于因素分析的C/SiC复合材料氧化动力学模拟

摘要：

用因素分析法对C/SiC复合材料在氧气气氛下的氧化相对质量变化曲线进行了分析,确定了在不同温度区间内影响其相对质量变化的控制因素:在温度θ＜700℃时复合材料的氧化速率由碳氧反应控制,属线性机制;随温度的升高,氧气通过涂层微裂纹的扩散将控制复合材料的氧化速率,属抛物线性机制;在温度θ＞1 000℃时,微裂纹逐步封闭,氧气通过SiO2生成层的扩散以及涂层表面的氧化将分别成为影响复合材料氧化速率的控制因素.在此基础上,建立了描述复合材料氧化过程的动力学模型.

关键词：碳/碳化硅复合材料、因素分析法、氧化动力学模拟

所属期刊栏目：32

分类号：TQ174.1

在线出版日期：2004-12-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1335-1340,1346