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10.3321/j.issn:0454-5648.2004.11.003

Bi4Ti3O12取向陶瓷的铁电和介电性能

引用
用固相烧结工艺,制备了择优取向的Bi4Ti3O12(BTO)多晶陶瓷样品,沿着与样品轴线垂直和平行的方向切割制成测量样品A和样品B.样品A和样品B分别具有c择优取向和a/(b)择优取向,样品A的c取向率为87.4%.在测量电场强度为125 kV/cm时,样品A和样品B的剩余极化(2Pr)分别为5.8 μC/cm2和41.2μC/cm2.样品A的漏电流和介电损耗小于样品B,样品A介电耗损峰对应的温度高于样品B,在测量频率为1 MHz时,分别为663℃和658℃.

钛酸铋、择优取向、剩余极化、介电损耗

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TQ174

国家自然科学基金10274066;江苏省教育厅自然科学基金01KJB140011

2004-12-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

1330-1334

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2004,32(11)

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