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10.3321/j.issn:0454-5648.2004.10.011

Al2O3掺量及氧气分压对直流磁控溅射法制备铝掺杂氧化锌薄膜性能的影响

引用
制备了掺杂质量数为1%,2%,3%和4%Al2O3的ZnO靶材.用直流磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZnO∶Al(ZAO)透明导电薄膜试样.用X射线衍射和扫描电镜分析了薄膜的物相及表面形貌.用四探针法测试了薄膜的电性能.用紫外可见光谱仪测试了试样的可见光透过率.结果表明:溅射气氛中氧气的存在降低薄膜的电导率,对薄膜试样的可见光透过率影响不大;用含3% Al2O3的ZnO靶材制备的薄膜的电导率最高.讨论了氧气分压和Al2O3的掺杂量对ZAO薄膜的结构和性能的影响.

铝掺杂氧化锌薄膜、电导率、直流磁控溅射

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TQ174.758

2004-12-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2004,32(10)

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