TiO2掺杂对ZnO压敏电阻低压化过程的影响

摘要：

近年来,加入晶粒助长剂TiO2以实现低压化的低压ZnO压敏电阻发展迅速.实验所用配方为掺杂TiO2的98.3%ZnO-0.7% Bi2O3-1.0% TiO2(摩尔分数)和相应无TiO2掺杂的配方,在900～1 200 ℃下烧结制备样品.给出了相分析、半定量分析及电性能测试结果.发现TiO2可以有效促进ZnO晶粒长大,降低压敏电压梯度.1 100 ℃下,TiO2掺杂试样的平均晶粒尺寸为56.4 μm,远大于无TiO2掺杂的31.8 μm.大部分TiO2首先与Bi2O3反应生成Bi4(TiO4)3液相,这大大促进了ZnO晶粒生长.高于1 000 ℃时Bi4(TiO4)3分解,分解出的TiO2与ZnO发生反应,生成Zn2 TiO4尖晶石相,晶粒生长受阻,直至停止.

关键词：氧化锌、压敏电阻、氧化钛掺杂、晶粒长大、低压化

所属期刊栏目：32

分类号：TB321;TB34(工程材料学)

在线出版日期：2004-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1161-1164