用低温固相反应制备p型Mg2Si基热电材料

摘要：

用Mg粉和Si粉通过固相反应在823 K时保温8 h合成了Mg2Si粉末;并通过外加Ag粉用二次固相反应在相同条件下合成了Mg2Si基热电固溶体.采用放电等离子烧结法(SPS),以掺杂Ag后的固溶体为原料制备出了p型Mg2Si基热电材料.研究了Ag掺杂量对Mg2Si材料热电性能的影响.结果表明:随着掺杂Ag的摩尔分数的增大,材料的Seebeck系数(即温差电动势)和电导率均有增大的趋势,但热导率变化不大.温度为513 K时,掺杂Ag的摩尔分数为15×10-3的试样的优值系数Z值和优值系数与温度之积ZT均为最大,分别为18.2×10-6 /K和0.01.

关键词：硅化镁基体、p型热电材料、低温固相反应、银

所属期刊栏目：32

分类号：TM201.4(电工材料)

资助基金：湖北省武汉市国际合作项目20007010108

在线出版日期：2004-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1094-1097