p型CuSCN半导体薄膜电沉积特征的研究

摘要：

采用电化学沉积法分别用水和乙醇作溶剂在In2O3-SnO2(ITO)透明导电玻璃上制备出了CuSCN薄膜.通过XPS分析表明:2种溶剂中制备的CuSCN薄膜均为SCN化学剂量比过量,具有p型半导体特征.研究了溶剂对CuSCN薄膜结构和光电学特性的影响.结果表明:在乙醇溶剂中能够制备出晶粒更加细化,致密度较高的CuSCN薄膜,电化学沉积制备的CuSCN薄膜具有β-CuSCN结构,属于六方晶系,直接光学带隙为3.7 eV,具有较高的透光率.电流-时间或电位-时间的变化曲线表明:利用薄膜的半导体电阻特性,可以影响薄膜的沉积行为.

关键词：电化学沉积、p型硫氰酸亚铜薄膜、太阳能电池、纳米晶太阳光电池、极薄吸附层太阳能电池

所属期刊栏目：32

分类号：TQ147.1

资助基金：天津市自然科学基金F103004

在线出版日期：2004-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1088-1093