WO3薄膜材料的气敏性能

摘要：

研究了WO3薄膜材料的制备工艺、气敏性能和贵金属表面改性.以钨酸为原料、加入有机络合剂的无机盐溶胶-凝胶(inorganic-sol-gel method,ISG)法合成了WO3薄膜.确定了最佳ISG工艺制度,即以柠檬酸为络合剂,10次成膜,预处理温度为600 ℃,烧成温度为650 ℃.实验结果表明:WO3是一种n型半导体,其最佳工作温度为550 ℃.通过掺杂贵金属制备了Pt/WO3薄膜材料,有效地改善了薄膜的气敏性能,可以在600 ℃下获得高达4 100的灵敏度.WO3的气敏机理为表面控制型.

关键词：氧化钨薄膜、铂、无机盐溶胶-凝胶法、氧气敏感、表面修饰

所属期刊栏目：32

分类号：TQ174.6

资助基金：国家自然科学基金599955206;国家自然科学基金50072014

在线出版日期：2004-12-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1064-1067